Phòng Thí Nghiệm Công Nghệ Bán Dẫn

+ Các thiết bị chế tạo:

  1. MOCVD (Model AIX-2000 – Hãng Aixtron)

 

Dùng để chế tạo các diode laser, các linh kiện LED dựa trên vật liệu GaN.

 

  1. PECVD (Model VISION 310, Hãng ADVANCED VACCUUM)

 PECVD

 

Dùng để lắng đọng các loại màng mỏng như: SiOx, SiNy, SiC, các màng mỏng đa tinh thể và vô định hình của silic.

  1. Sputter (Model ACS-4000-C4 , Hãng ULVAC)

z

Dùng để tạo các vật liệu màng mỏng kích thước nano mét dùng làm điện cực. Kỹ thuật phún xạ có thể chế tạo màng mỏng của hầu hết các vật liệu kim loại, các hợp chất với diện tích lớn và độ đồng đều cao.

  1. Vacuum evaporator (Model A0-E BEAM, Hãng BOC EDWARDS)
    VANCCUM

Dùng để phủ các màng mỏng kim loại, màng hợp chất ứng dụng cho các vật liệu : bán dẫn hợp chất, OLED, Pin mặt trời, các lớp phủ chống phản xạ, …

  1. WET BENCH (Hãng S.P.M, Italia)

WET-BENCH

 

Dùng để rửa mẫu, pha hóa chất.

  1. PHOTORESIST SPINNER (Model DELTA 6 RC, Hãng SUSS MICRO TEC)

 

 DELTA6

 

Dùng để quay phủ photoresist trong quy trình quang khắc. Tốc độ quay phủ quay phủ lên tới 6000 vòng/phút, diện tích đế phủ 125 x 125 mm.

 

  1. MASK ALIGNER (Hãng SUSS MICRO TEC)

 

Mask-Aligner

Dùng trong công nghệ MEMS để tạo các cấu trúc cho các linh kiện có kích thước micro mét.

 

  1. Diffusion furnace (Model POE603, Hãng ATV TECHNOLOGIE GMBH )

ban-dan-12-1

Dùng để gia nhiệt nhanh và chế tạo các lớp oxit silic chất lượng cao trong môi trường khí oxi khô. Nhiệt độ tối đa của lò có thể lên tới 1.150°C, tốc độ gia nhiệt tối đa 100oC/phút

 

  1. ANNEALING SYSTEM (Model N31/H, Hãng NABERTHERM)

ban-dan-13

 

Dùng để nung các vật liệu dùng trong qui trình silicide. Nhiệt độ tối đa của lò có thể đạt tới 1.280°C.

 

  1. Die Cutter (Model DAD 321, Hãng DISCO)

DIE-CUTTER

Dùng để cắt nhỏ các loại vật liệu như : Si, thủy tinh, thạch anh, các vật liệu hợp chất bán dẫn ở nhóm III-V.

  1. Wire bonder (Model 4524AD, Hãng KULICKE&SOFFA)

Wire-bonder

 

Chức năng: Dùng để hàn dây vàng hoặc nhôm trong đóng gói các linh kiện bán dẫn. Diện tích để hàn 152 mm x 152 mm.

 

 

+ Các thiết bị đo lường:

  1. Hệ Filmetrics – F40 (Hoa Kỳ)

FILM-MESUR

Dùng để đo độ dày của từng lớp màng trong cấu trúc.

  1. Hệ đo hiệu ứng Hall

HALL-MEAS

Hệ đo hiệu ứng Hall HL5500PC của hãng Accent Optical Technologies – Canada được sử dụng để đo điện trở suất của màng, độ linh động và nồng độ hạt tải với khoảng nhiệt độ hoạt động từ 4oK tới 600oC (nhiệt độ lý thuyết của mẫu).

  1. Hệ đo bốn đầu dò

c

Hệ đo bốn đầu dò MWP-6 của hãng Jandel (Anh quốc được sử dụng để đo điện trở mặt của vật liệu cần đo (vật liệu màng).

  1. Hệ đo độ dày Profilometer

7

Hệ đo độ dày Profilometer Dektak-6M của hãng Veeco – USA được sử dụng để đo độ dày màng với sai số từ 5 – 20% phụ thuộc vào vật liệu màng cần đo và loại mũi dò sử dụng.

  1. Hệ nhiễu xạ tia X

8

Phương pháp đo và phân tích phổ nhiễu xạ tia X thường được sử dụng để xác định cấu trúc và thành phần vật liệu của vật liệu ở các dạng khối, bột, màng. Hệ nhiễu xạ tia X X’Pert PRO-Panalitycal (Hà Lan) được trang bị tại SHTP Labs chuyên dụng cho vật liệu màng với bước sóng sử dụng ().

  1. Hệ đo đặc trưng I-V của solar cell

11f

 

 

 

 

 

 

Hệ đo đặc tuyến I-V của solar-cell tại SHTP Labs bao gồm: Nguồn sáng giả lập ánh sáng mặt trời và hệ đo đặc tuyến I-V.

Hệ giả lập ánh sáng mặt trời gồm nguồn sáng XES-301S và bộ điều kiển XEC-301S của hãng San-eielectric (Nhật Bản). Nguồn sáng giả lập ánh sáng mặt trời sử dụng đèn Xenon có công suất 300W, ánh sáng từ đèn Xenon được chuyển qua hệ thống thấu kính chuẩn trực để chuyển thành chùm sáng song song chùm sáng này được lọc qua bộ lọc air mass filter để giả lập phổ ánh sáng mặt trời ở điều kiện khí quyển AM 1.5.

Hệ đo đặc tuyến I-V model 4200 SC của hãng Kithley (Hoa Kỳ) được điều khiển bằng máy tính có thể cấp thế và dòng DC qua mẫu lên tới 210V/100mA với độ phân giải dòng ở mức 0,1fA. Tín hiệu thế và dòng thu được từ mẫu trong quá trình đo được truyền về máy tính và phần mềm KTEI sẽ  xử lý, hiện thị và đón nhận quá trình đo.